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千人計劃專家徐科:研發材料打破國際壟斷

蘇州納維科技有限公司

核心提示:2007年,徐科創立蘇州納維科技有限公司,帶領團隊研發出了具有國際領先水平的氮化鎵材料,一舉改變了過去我國相關領域完全受制于人的局面,打破了國外發達國家的技術封鎖。

  ——蘇州工業園區獲批開展開放創新綜合試驗

千人計劃專家徐科:園區人才政策讓我扎根于此

徐科向技術人員介紹設備運轉情況
工作間隙,徐科在辦公室寫毛筆字減壓,這是他養成多年的習慣。

千人計劃專家徐科:園區人才政策讓我扎根于此

名城新聞網訊(記者 熊曙光)十年前,他放棄北京大學的教職,來到正在籌建的中科院蘇州納米所。十年后,他將多年研究的成果轉化為300多家單位搶購的產品。他就是工業園區首屆科技領軍人才、江蘇省高層次創業創新人才、國家千人計劃專家徐科博士。
  2006年,徐科接到中科院蘇州納米所所長楊輝邀請,幾次電話了解后,他毅然放棄了北京大學的教職,加盟蘇州納米所,決定將“HVPE系統及氮化鎵襯底外延生長”作為創業方向,并瞄準了未來的產業化方向。
  據了解,氮化鎵是第三代半導體產業發展的關鍵材料,也是徐科研究多年的領域。2007年,徐科創立蘇州納維科技有限公司,帶領團隊研發出了具有國際領先水平的氮化鎵材料,一舉改變了過去我國相關領域完全受制于人的局面,打破了國外發達國家的技術封鎖。2015年,他們研發的產品吸引了全球300多家客戶,其產品質量、研發水平得到了高度認可。
  談到從零開始的創業歷程,徐科對工業園區開放創新的政策支持贊不絕口。在入選領軍人才項目后,園區為公司提供了100萬元的創業啟動資金、100萬元的住房補貼、200萬元的貼息貸款、650萬元的股權投資等,這些政策支持給剛剛成立的納維科技極大的信心與動力。此外,政府每月3000元的住房補貼,也讓公司收獲了許多高級技術人才。“這極大減輕了創業初期的科研企業的資金壓力,真是一場及時雨。”徐科說。
  作為國際上最早發現InN窄帶隙的研究者之一,徐科帶領團隊研制出我國第一片位錯密度104cm-2量級的2英寸GaN單晶襯底并實現量產,目前仍是國內唯一一家具備2英寸GaN單晶晶片生產能力的企業。最近,他們又完成了4英寸GaN單晶襯底的研發,在國際上出于領先水平。
  業內人士預計,以氮化鎵為代表的III族氮化物半導體被譽為第三代半導體,在國防、信息、機電、能源等產業正在或將會得到重大應用,未來幾年市場規模將達數萬億美元。為了應對這一即將到來的市場機會,納維科技正打算擴大生產能力。得益于園區領軍人才政策,納維科技有優先在園區拿地的權利,而現在公司也正準備買地建廠,以迎接即將井噴的市場機遇。
  展望未來,徐科認為企業不一定要有多大的市場規模,但是一定要有自己核心的高科技。而這技術不是只有他一家所有,而是能影響很大的產業,真正輻射出去,形成高科技產業群。目前,以納維科技為首的7家企業,匯聚了國內外頂尖的科研人員與企業,聯合成立了氮化鎵產業研究院。“我們在園區孵化,以后發展壯大了,還將扎根于園區。”徐科說。
(時間:2015年10月20日 來源:名城新聞網 責編:李刻)

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